Samsung 上週發布了Q3季度財報,
移動部門因為 Note 7 爆炸事件損失了15%的營業額,運營利潤則直線下滑96%,
但受益於存儲晶片的漲價,Samsung 半導體業務部門營收表現不錯,彌補了部分虧損。
考慮到 NAND、DRAM內存漲價的勢頭還要持續一段時間,三星也加快了記憶體升級步伐,
今年初率先量產了18nm DRAM,明年則會推出15-16nm工藝的DRAM,繼續領先對手一代。

DRAM 記憶體晶片的製程層級跟常見的處理器 22nm、14nm、10nm 製成不同,
25nm製程之後是20nm,有的廠商則是21nm,再往下就是18nm,
不過目前只有 Samsung 量產了18nm,
SK Hynix 及美光目前還掙扎在20nm節點,18nm要等到明年。

Samsung 今年初率先量產了18nm,但是明年就要推出新一代製程了。
韓國 Business Korea 網站援引業界消息稱 Samsung 明年下半年將量產15-16nm的 DRAM 記憶體。
從這一點上來看,Samsung 去年宣布的2020年前實現10nm級記憶體製程的進度可能會提前,2019年就有可能了。
除了繼續領先新製程,Samsung 的18nm產能也會擴大,到了明年下半年,
18nm記憶體將占到30-40%的產能,屆時可能 SK Hynix 和美光的18nm才開始量產而已。
在 DRAM 領域上雖然目前只剩下了 Samsung 、SK Hynix 和美光三家廠商,
但 Samsung 一家獨大的情況並沒有改變,甚至還可能會繼續領先。
iHS統計的數據顯示 Samsung 在記憶體市場上的份額高達46.6%,
不僅產能大,而且技術領先,在20nm、18nm上已經甩開對手一年到一年半時間。
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