21nm 制程，SK Hynix 8GB LPDDR4 记忆体出货

外星人

在Samsung Electronics 之后，SK Hynix 也增加8GB LPDDR4 产品。

Samsung Electronics 是在10 月21 日公布智慧型手机用的8GB LPDDR4 记忆体，而SK Hynix 则是在12 月21 日，足足晚了2 个月。

目前8GB（64Gb）的LPDDR4 记忆体将由4 颗16Gb 记忆体在同一封装内组成。

8GB 的​​SK Hynix LPDDR4 记忆体将会有366 ball 与376 ball 两种规格。其中366 ball 可以与SOC 或是UFS 叠在一起，目前已经开始出货，至于376 ball 将会在2017 年第一季开始供应。

SK Hynix 的16Gb 记忆体使用的是21nm 制程，而稍早Samsung Electronics 部分则是10nm 级别制程。

相较于SK Hynix 的3733MT/s 传输速率，Samsung Electronics 可以达到4266MT/s。