10nm FinFET 制程，Qualcomm Snapdragon 835 确定

外星人

Qualcomm Snapdragon 821 后续产品确认型号，同时确定10nm FinFET 制程。

究竟是Qualcomm Snapdragon 830，还是Qualcomm Snapdragon 835，这让市场猜测许久，但在稍早终于有了最终答案。

Qualcomm 在11 月17 日晚间释出新闻稿，宣布Qualcomm Snapdragon 835 将采用10nm FinFET 制程，并交由Samsung Electronics 负责。

Samsung Electronics 是在2016 年10 月量产10nm FinFET 制程，而Qualcomm 则是该公司第一个客户。相较于14nm FinFET 制程，全新的10nm FinFET 制程可以在减少30% 的面积的基础下，提升27% 的效能，同时也降低40% 的功耗。

Qualcomm Snapdragon 835 已经进入量产，至于采用相关装置的产品预计会在2017 上半年出货。

目前Qualcomm Snapdragon 835 的CPU 与GPU 架构仍不明确，但可以确定在CPU 部分将延续Kryo 核心，而唯一可以确认的是它将导入Qualcomm Snapdragon X16 LTE Modem。